IDB30E120ATMA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IDB30E120ATMA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GP 1.2KV 50A TO263-3-2 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $2.20 |
10+ | $1.973 |
100+ | $1.5856 |
500+ | $1.3028 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.15 V @ 30 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 1200 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3-2 |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 243 ns |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 100 µA @ 1200 V |
Strom - Richt (Io) | 50A |
Kapazität @ Vr, F | - |
Grundproduktnummer | IDB30E120 |
IDB30E120ATMA1 Einzelheiten PDF [English] | IDB30E120ATMA1 PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263
INFINEON TO-263
IDB12E120 INF
DIBCOM BGA
IGBT Modules
DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3
DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3
DIODE GP 600V 52.3A TO263-3-2
KR SMD
DIODE GP 600V 41A TO263-3-2
DIODE GP 600V 29.2A TO263-3-2
DIODE GP 1.2KV 28A TO263-3-2
DIODE SIL CARB 600V 10A TO263-3
QFP 0826+
DIODE GP 600V 29.2A TO263-3-2
IDB23E60 INFINEON
DIODE SIL CARB 600V 10A TO263-3
IDB30E60 IGBT Module
DIODE 600V 71A TO263-3-2
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IDB30E120ATMA1Infineon Technologies |
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Zielpreis (USD)
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